据报道，三星电子将采用台积电的3纳米工艺为英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）生产基础芯片，这将是三星首次与台积电在HBM制造阶段展开合作。
消息人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电的工艺制造NVHBM基础芯片，并采用第六代DRAM技术制造核心芯片。三星据悉在内部审查后接受了英伟达的要求，但计划保留其内部生产模式，用于生产标准HBM和为其他客户定制的产品。
英伟达8月发布的NVHBM将英伟达的定制内存控制器集成到基础芯片中，旨在实现多个内存供应商之间的标准化实施。
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三星在开发HBM核心芯片和基片时通常采用“交钥匙（Turn-key）”模式，即HBM从设计到封装均由单一供应商闭环完成。无需客户分别协调存储厂、逻辑代工和封装厂。而SK海力士则选择专业分工模式，将HBM4的基片交给台积电代工。
最新消息意味着三星与台积电将联合开发3纳米制程的基片，最终目标是生产标准化产品，从而减少NVHBM的质量验证步骤。
英伟达此前表示，其自主研发的解决方案NVHBM可提供比标准HBM4E高出30%的内存带宽 ，同时功耗降低15%。然而，为了实现这些优势，英伟达必须确保其内存供应商之间的标准化。
英伟达现在希望，其基础芯片仅采用台积电的3nm工艺，从而无需单独验证各厂商的样品，节省了宝贵的时间和资源，避免了不必要的负担。而核心芯片则统一使用1c工艺，即第六代DRAM工艺。
与此同时，由于NVHBM带来的巨大需求，三星并不介意与台积电临时合作。该公司同时也兼顾标准HBM和其他客户的定制芯片业务，并在探索作为NVHBM基片产能备份的可能性。
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